RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
49
Autour de -96% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
25
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
2104
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link