RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
49
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
2104
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link