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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
49
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
25
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
2104
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
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