RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Porównaj
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
73
Wokół strony 70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
73
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2510
1744
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link