RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
24
Wokół strony 8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2510
2256
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link