RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
26
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1489
2256
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link