RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
7.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
4.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
7.1
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
4.2
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
969
2148
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link