RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2969
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link