RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
2969
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link