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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
59
左右 -146% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
24
读取速度,GB/s
4,723.5
16.6
写入速度,GB/s
2,076.1
12.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
2969
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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