RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Porównaj
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
31
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1917
3711
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link