Porównanie pamięci RAM Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Wynik ogólny

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 30

Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

7.9 7.8

Średnia wartość w badaniach

Pełna lista specyfikacji technicznych

Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1917 1920

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns