RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Porównaj
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
67
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
67
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1906
2030
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link