RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
65
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
65
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
2041
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link