RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
3473
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link