RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
54
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,308.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
49
Prędkość odczytu, GB/s
3,573.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,308.1
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
371
2534
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kllisre M393B1K70DH0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link