RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
3174
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link