RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3030
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link