RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
49
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
49
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
2673
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
ASint Technology SSZ302G08-GGNHC 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link