RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Porównaj
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
67
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
67
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2180
1879
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link