RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
27
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
17
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
3550
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link