RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
52
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
52
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2182
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link