RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Confronto
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
52
Intorno 25% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
52
Velocità di lettura, GB/s
11.7
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1749
2182
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link