RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.2
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
43
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
2501
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link