RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
43
Около 37% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.2
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
43
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
12.2
Скорость записи, Гб/сек
8.5
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
2501
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link