RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
2591
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link