RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
2340
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link