RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
2989
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link