RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
32
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
1897
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link