RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Porównaj
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
71
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
71
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1620
1863
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link