RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
92
Wokół strony -207% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3389
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link