RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
92
Autour de -207% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
30
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
3389
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link