RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Comparez
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Note globale
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
21.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,061.2
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
46
Autour de -53% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
30
Vitesse de lecture, GB/s
4,937.3
21.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,061.2
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
759
3806
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB Comparaison des RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link