RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Comparar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
21.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,061.2
16.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
46
Por volta de -53% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,937.3
21.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,061.2
16.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
759
3806
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB Comparações de RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link