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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
4,937.3
21.7
写入速度,GB/s
2,061.2
16.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3806
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB RAM的比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
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