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Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
比较
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
总分
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
37
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
37
读取速度,GB/s
15.6
15.1
写入速度,GB/s
13.1
12.2
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3043
2873
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Kingston 99U5471-011.A01LF 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
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