RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3721
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link