RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
65
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
65
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
1921
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link