RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3467
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HX316C10F/8 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link