RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2174
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link