RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2502
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link