RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
11.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
1984
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kllisre 0000 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link