RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
47
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.5
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
47
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2308
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link