RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
27
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
25
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2340
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link