RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
38
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
2283
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link