RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.3
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3491
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link