RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Porównaj
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
99
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
6.4
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
99
33
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1386
3013
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link