Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB

-->

Средняя оценка

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

Причины выбрать
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 99

Около -200% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.5 14.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.0 6.4

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

99 33
Скорость чтения, Гб/сек

14.4 16.5
Скорость записи, Гб/сек

6.4 12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

21300 21300

Other

Описание

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1386 3013

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB

модули RAM

Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB

Micron Technology 18JSF1G72PZ-1G6D1 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB

модули RAM

Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB

Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Kingston 9905734-059.A00G 16GB

Kingston 9905734-059.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB

Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB

Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

модули RAM