RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Porównaj
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB vs Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Wynik ogólny
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
29
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
15.1
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3467
2737
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link