RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
68
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
68
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
1792
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link