RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1540
3693
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link